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  • 型号: 3EZ130D5/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D5/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ130D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ130D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ130D5/TR12是一款额定稳压值为130V、功率为3W的单齐纳二极管,采用DO-41封装,带卷带包装(TR12)。其主要应用场景包括:

1. 高压稳压与基准源:适用于需130V精密参考电压的电源电路,如工业控制电源、测试仪器中的高压偏置电路或A/D转换器的基准源(配合分压网络使用)。

2. 过压保护(OVP):常用于开关电源、DC-DC变换器或电机驱动电路中,作为瞬态电压抑制辅助器件,与TVS或可控硅配合实现130V阈值的过压钳位或触发保护。

3. 浪涌吸收与箝位:在继电器线圈、感性负载关断回路中,用作反向电动势(back-EMF)箝位元件,防止MOSFET/IGBT等开关器件因高压尖峰损坏。

4. 高压偏置与启动电路:在PFC控制器、高压LED驱动或CRT显示器行输出电路中,提供稳定偏置电压或启动电流路径。

需注意:该器件为通用型齐纳二极管,非低噪声或高精度基准,故不适用于高精度测量;工作时需严格保证散热(3W功耗下结温限制),并建议串联限流电阻以避免过流失效。实际应用中应参考Microsemi原厂数据手册确认温度系数(约+0.08%/°C)、动态阻抗(典型值≤600Ω)及可靠性参数。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 130V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ130D5/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 98.8V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

130V

阻抗(最大值)(Zzt)

375 欧姆

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