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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 3EZ130D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ130D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ130D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ130D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ130D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ130D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ130D/TR12 是一款额定稳压值为130V、功率为3W的单齐纳二极管（Zener Diode），采用DO-41封装，卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 高压稳压与基准源：适用于130V左右的直流稳压电路，为高电压模拟电路（如工业传感器接口、高压电源反馈网络）提供稳定参考电压。 2. 过压保护（OVP）：常与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（Crowbar）保护电路，在电源异常升压至130V时触发保护，防止后级器件损坏。 3. 浪涌钳位与电压箝位：在开关电源、电机驱动或继电器线圈续流回路中，用于吸收瞬态高压尖峰，限制电压不超过130V，提升系统可靠性。 4. 高压检测与阈值控制：用于高压检测电路（如电池组高压监测、HVDC监控），当输入达130V时产生翻转信号，实现阈值报警或自动切换。 注意事项：该器件最大测试电流约23mA（P=3W/130V），需合理设计限流电阻；温度系数较高（约+0.08%/°C），精密应用需考虑温漂补偿；不适用于低噪声或高精度基准场合。建议查阅厂商（如ON Semiconductor或Diodes Inc.）数据手册确认动态阻抗、容差（通常±5%）及热降额曲线。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 130V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ130D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 98.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 130V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 375 欧姆 |
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