Datasheet下载- 型号： 3EZ12DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ12DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ12DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ12DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ12DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ12DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ12DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）生产的 12V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低压电源电路中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定12V基准电压；常用于线性稳压器的取样/反馈网络或作为简单并联稳压器。 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态过电压（如ESD、感应浪涌），保护后级IC（如MCU、运放、通信接口芯片）免受12V系统中的异常高压冲击。 3. 电平转换与箝位：在数字电路中将信号峰值箝位至12V，防止输入电压超限（如CAN总线收发器、工业I/O模块的信号调理前端）。 4. 电源监控与告警：在12V供电系统中，配合比较器实现欠压/过压检测，触发复位或报警功能。 该器件适用于工业控制、通信设备、汽车电子（非安全关键二级应用）、仪器仪表等对成本、尺寸和可靠性有要求的中功率场景。注意：其3W功耗需确保PCB具备足够散热能力，且不适用于高精度（<1%）或高温（>125℃）严苛环境。实际使用时应查阅Microchip官方最新数据手册确认参数与替代建议。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 12V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ12DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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