Datasheet下载- 型号： 3EZ120D5/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D5/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D5/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120V，额定功率3W（DO-41封装），容差±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 高压基准电压源：在工业电源、测试仪器或高压DC-DC转换器中，为误差放大器或反馈电路提供高精度、稳定的120V参考电压。 2. 过压保护（OVP）钳位：并联于敏感电路（如IGBT驱动级、ADC前端或通信接口）旁，当瞬态电压超过120V时迅速导通，吸收浪涌能量，防止后级器件击穿。 3. 浪涌抑制与箝位电路：用于继电器线圈释放、感性负载开关等场景，配合TVS或RC网络，抑制关断时产生的高压反电动势（如100–200V级尖峰）。 4. 高压稳压辅助电路：在激光驱动器、光电倍增管（PMT）高压偏置、X射线发生器等需要稳定中高压（百伏级）偏置的精密模拟系统中，作为低成本稳压元件。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，可靠性高，但不适用于高频或大电流动态箝位；实际使用中建议留足功率裕量（降额至≤2W），并配合限流电阻以避免热失效。Microsemi原厂已停产该型号，现由Microchip提供兼容替代方案及技术支持。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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