Datasheet下载- 型号： 3EZ120D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120V，额定功率3W（DO-41封装），具有±2%高精度容差（“D2”后缀表示该精度等级），并采用卷带包装（TR12）。 其典型应用场景包括： - 高压稳压与基准源：在工业电源、仪表电源或高压DC-DC转换器中，为控制电路提供稳定120V参考电压； - 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成撬棒（Crowbar）保护电路，在输入电压异常升高时快速触发短路保护，防止后级器件损坏； - 浪涌箝位与电压限制：用于通信设备、电力监控系统或电机驱动板中，箝位瞬态高压（如雷击感应、开关噪声），保护敏感IC或传感器； - 反馈环路补偿：在高压开关电源的光耦反馈侧，作为精密稳压元件，提升输出电压精度和负载调整率。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达+175°C）、低动态阻抗及长期可靠性，适用于工业自动化、能源计量、铁路信号及军工等对安全性和耐久性要求较高的领域。需注意其反向功耗较大，设计时应确保散热充分，并避免持续工作在接近额定功率的工况下。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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