Datasheet下载- 型号： 3EZ120D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ120D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ120D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ120D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ120D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ120D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ120D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为120 V，额定功率为3 W，DO-41封装，带卷带包装（TR8）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感模拟/数字电路前级，将瞬态高压（如ESD、雷击感应脉冲）钳位在120 V安全水平，防止后级器件损坏。 2. 高电压基准源：在工业控制、测试仪器或高压电源反馈环路中，提供稳定、低温度系数（典型±0.075%/°C）的120 V参考电压，适用于精度要求适中的场合。 3. 浪涌抑制与箝位二极管阵列的组成单元：常与其他TVS或齐纳管配合，构建多级防护方案，尤其适用于通信基站、电力监控设备等需承受高能量浪涌的环境。 4. 开关电源辅助稳压：在离线式AC-DC转换器中，为偏置绕组供电电路或光耦反馈回路提供隔离稳压，确保控制器IC在宽输入范围下可靠工作。 该器件具有良好的浪涌承受能力（如8.3 ms单脉冲可达60 A），结温范围宽（–65°C 至 +175°C），适合工业、汽车电子（非安全关键系统）、能源及基础设施等严苛环境。注意：实际应用中需配合限流电阻，并考虑功耗与散热设计，避免长期满负荷运行导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 120V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ120D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 91.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 120V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 300 欧姆 |
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