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  • 型号: 3EZ11D5E3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D5E3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ11D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ11D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ11D5E3/TR8 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip 收购)生产的 11V、1W 表面贴装齐纳二极管,采用 DO-214AC(SMA)封装,具有 ±5% 容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路或传感器供电中,为ADC参考源、运放偏置或微控制器复位电路提供稳定11V基准电压。

2. 过压保护(钳位):并联于敏感器件(如MCU I/O口、通信接口RS-485/UART收发器)前端,将瞬态电压钳位于约11V,配合限流电阻吸收ESD或浪涌能量。

3. 电源稳压辅助:在简单线性稳压器(如78xx系列)的输出端作二次稳压或噪声抑制,提升输出电压精度与纹波抑制能力。

4. LED恒流驱动反馈:在低成本LED驱动电路中,作为电流检测电压基准点,配合晶体管实现简易恒流控制。

5. 工业与汽车电子:适用于宽温范围(-65°C ~ +175°C)、高可靠性要求的场景,如车载电源监控、PLC模块电压监测等。

该器件因具备高可靠性、良好温度稳定性及AEC-Q200兼容潜力(需查具体批次认证),常用于工业控制、通信设备及汽车后装电子中对成本与性能平衡要求较高的场合。注意使用时须确保功耗不超过1W,并合理设计散热与限流措施。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 11V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ11D5E3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 8.4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

11V

阻抗(最大值)(Zzt)

4 欧姆

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