Datasheet下载- 型号： 3EZ11D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ11D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款齐纳二极管，标称稳压值为 11 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用 TR8 卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中为运算放大器、ADC/DAC 或传感器提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成浪涌保护电路，当输入电压异常升高至11 V以上时触发钳位或关断； 3. 电源箝位与ESD防护：用于接口电路（如RS-232、工业I/O端口）中限制瞬态电压，防止后级IC损坏； 4. 反馈回路补偿：在开关电源（如反激式变换器）的光耦反馈侧，辅助设定误差放大器基准点； 5. 温度补偿电路：利用齐纳二极管与正温度系数元件（如普通二极管）组合，实现宽温区下更稳定的基准电压输出（需注意该型号自身温度系数约为+5 mV/°C，属中等精度）。 该器件具备良好的长期稳定性与低动态阻抗（典型值约10 Ω），适合对成本敏感且无需超高精度的工业控制、电源适配器、仪表及通信设备中的基础稳压与保护功能。不推荐用于高精度基准或高频噪声敏感场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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