Datasheet下载- 型号： 3EZ11D10E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D10E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D10E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D10E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D10E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D10E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ11D10E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的 11V、1W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有 ±5% 精度（标称稳压值11V）、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源稳压辅助：在低成本线性稳压器（如78Lxx）前端或反馈网络中辅助稳压，提升输出精度与负载调整率； 4. 电平转换与箝位：在数字逻辑接口中限制信号摆幅（如将5V系统安全接入3.3V器件），防止电压超限； 5. 工业与汽车电子：适用于宽温范围（-65°C ~ +175°C）的车载传感器模块、PLC输入保护、电源监控电路等对可靠性要求较高的场景。 该器件具备AEC-Q200兼容性（依据Microsemi原规格），适合工业级及部分车规应用。注意需配合适当限流电阻使用，确保功耗不超过1W额定值，并考虑散热条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D10E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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