Datasheet下载- 型号： 3EZ11D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ11D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ11D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ11D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ11D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ11D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ11D/TR12是一款11V、1.3W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，卷带包装），具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运算放大器、ADC/DAC或传感器电路提供稳定11V参考电压；适用于分立式线性稳压器的基准端或过压保护触发电路。 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或MOSFET配合构成 crowbar 电路，当输入电压异常升高至约11V时导通，触发保护动作，防止后级IC损坏。 3. 浪涌/ESD钳位：在通信接口（如RS-232、CAN总线前端）或I/O端口处，作为瞬态电压抑制辅助器件，限制瞬时过压幅值（需配合TVS或限流电阻使用）。 4. 信号电平箝位与整形：在模拟信号调理电路中，将交流信号峰值限制在±11V范围内，防止运放饱和；亦用于波形整形、限幅电路。 注意：该器件额定功率1.3W，不适用于持续大电流稳压场合；实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz）并确保散热条件满足降额要求。因属基础齐纳器件，多见于工业控制、仪器仪表、通信设备等对成本与可靠性有平衡需求的中低端应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 11V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ11D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 8.4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 11V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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