Datasheet下载- 型号： 3EZ110D2E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D2E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D2E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110V，额定功率3W（DO-41封装），具有±2%高精度容差（“D2”后缀）、低动态阻抗及良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 高压基准与稳压：用于开关电源、DC-DC转换器或工业控制板中，为误差放大器、PWM控制器提供精准110V参考电压； 2. 过压保护（OVP）电路：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成 crowbar 电路，在输入/母线电压异常升高（如≥115V）时快速触发短路保护，防止后级器件损坏； 3. 浪涌抑制与钳位：在通信接口（如RS-485总线）、电机驱动或继电器线圈续流回路中，吸收瞬态高压尖峰（如电感关断反电动势），限制电压不超过110V； 4. 高压检测与反馈：在电池管理系统（BMS）或高压电源监控模块中，作为分压采样链的基准端，提升高压侧电压检测精度与可靠性。 该器件符合AEC-Q200（部分批次），适用于工业自动化、电力电子、通信电源及车载辅助系统等对可靠性和耐压要求较高的场景。注意需配合限流电阻使用，并确保功耗不超过3W（必要时加散热措施）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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