Datasheet下载- 型号： 3EZ110D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ110D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ110D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ110D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ110D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ110D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ110D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为110 V，功率为3 W（DO-41封装），容差典型为±5%，具有低动态阻抗和良好温度稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感模拟/数字接口（如通信模块、工业I/O端口），将瞬态高压（如ESD、雷击感应浪涌）钳位至安全电平，配合TVS或限流电阻使用； 2. 高电压基准源：在高压电源反馈环路（如开关电源次级侧稳压、激光驱动器、X射线发生器辅助电源）中提供稳定参考电压，适用于对精度要求适中、成本敏感的场合； 3. 浪涌吸收与箝位网络：在继电器线圈、电机驱动MOSFET栅极或感性负载关断回路中，吸收反电动势，防止器件击穿； 4. 分立式稳压电路：为高压偏置电路（如光电倍增管、CCD偏压、高压运放供电）提供简单、可靠的局部稳压，无需复杂LDO或DC-DC方案。 需注意：该器件为玻璃钝化结构，可靠性高，但不适用于需精密基准（如ADC参考）或低噪声场景；实际应用中应留足功率余量（建议降额至≤2W），并注意PCB散热设计。TR8表示编带包装，适用于自动化贴装。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 110V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ110D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 83.6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 110V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 225 欧姆 |
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