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  • 型号: 3EZ10D2/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D2/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ10D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ10D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ10D2/TR12 是 Microsemi Corporation(现已被 Microchip 收购)生产的一款单齐纳二极管,标称齐纳电压为 10 V,额定功率为 3 W(DO-41 封装),采用 TR12 卷带包装,适用于自动化贴片装配。

其主要应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置)提供稳定10 V基准电压;  
2. 过压保护:与TVS或限流电阻配合,用于电源输入端或敏感IC引脚的钳位保护,防止瞬态过压损坏;  
3. 电源反馈环路:在小功率线性稳压器(如78xx系列辅助电路)或开关电源的光耦反馈侧,提供精确取样基准;  
4. 工业控制与仪器仪表:在PLC模块、数据采集系统中用于电压校准、阈值检测及电平箝位;  
5. 消费电子与通信设备:在电源适配器、光模块供电电路中实现简单可靠的稳压或ESD防护辅助钳位。

该器件具有良好的温度稳定性(典型TC约±0.075%/°C)、低动态阻抗和成熟可靠性,适用于工作温度范围 -65°C 至 +175°C 的工业及汽车后装场景(需符合AEC-Q200可选认证要求)。注意实际应用中需串联限流电阻以确保工作电流在5–100 mA推荐范围内,避免热失效。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 10V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ10D2/TR12

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 7.6V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

10V

阻抗(最大值)(Zzt)

3.5 欧姆

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