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  • 型号: 3EZ10D/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ10D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ10D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ10D/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ10D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ10D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3EZ10D/TR8 是 Microsemi Corporation(现属 Microchip Technology)推出的 10V、3W 表面贴装齐纳二极管(单管),采用 DO-41 封装(TR8 表示卷带包装)。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗电源电路中为模拟电路(如ADC参考源、传感器供电、运算放大器偏置)提供稳定10V基准电压,适用于对精度和温漂要求适中的场合。

2. 过压保护(钳位):并联于敏感器件(如MCU I/O口、通信接口ESD防护电路)前端,当瞬态电压超过10V时导通泄放能量,配合限流电阻实现简单可靠的箝位保护。

3. 电源反馈环路:用于线性稳压器(如LDO)或开关电源的反馈分压网络中,替代精密基准芯片以降低成本,适用于对初始精度(±5%容差)和温度系数(典型4.5 mV/°C)可接受的消费类或工业控制设备。

4. 浪涌抑制与信号调理:在工业传感器信号链中限制输入电压幅值,防止后续电路饱和或损坏;也用于音频/数据线路的直流偏置设定。

该器件具备3W额定功率、较低动态阻抗(约15Ω)、良好热稳定性及AEC-Q200兼容性(部分批次),常见于工业自动化、通信设备、汽车电子辅助系统及通用电源模块中。需注意:实际应用中须合理设计散热与限流,并考虑其±5%标称电压公差对系统精度的影响。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 10V 20% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ10D/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 7.6V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±20%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

10V

阻抗(最大值)(Zzt)

3.5 欧姆

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