Datasheet下载- 型号： 3EZ100DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 100 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感模拟/数字接口处，将瞬态电压钳位在 100 V 左右，防止后级器件因浪涌、ESD 或开关噪声损坏。 - 基准电压源：在中等精度要求的模拟电路（如简易稳压器、比较器参考、传感器信号调理电路）中提供稳定参考电平，尤其适用于无需高精度但需成本效益和可靠性的工业控制模块。 - 浪涌吸收与箝位：配合 TVS 或 RC 吸收网络，用于继电器线圈、电机驱动、电磁阀等感性负载关断时产生的反向电动势抑制。 - 分立式稳压电路：在低电流（≤30 mA）、非精密场合（如待机电源、LED 偏置、偏置电源）中作为简单并联稳压元件使用。 该器件具备符合 AEC-Q200 的汽车级变体选项（本型号为工业级），适用于工业自动化、通信设备电源、测试仪器及通用电子系统中的基础电压管理与保护功能。注意：实际应用中需确保功耗不超过额定值，并留有足够裕量以应对温升与容差（±5% 稳压容差）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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