Datasheet下载- 型号： 2SK4197FS
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK4197FS由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK4197FS价格参考。ON Semiconductor2SK4197FS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK4197FS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK4197FS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2SK4197FS是一款P沟道MOSFET，属于单个MOSFET晶体管。该器件主要应用于需要高效率和低功耗控制的电源管理场景。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关与电池管理电路，用于实现负载开关、电源通断控制及反向电流阻断功能。 此外，2SK4197FS也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关，提升电源转换效率。其P沟道特性使其在栅极驱动设计上更为简便，常用于电压低于12V的小功率电源系统中。由于具备较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的热稳定性，该MOSFET能在有限空间内高效工作，适合高密度集成的电路板设计。 工业控制模块、家用电器中的电机驱动电路以及各类嵌入式系统中的信号切换也常采用此类器件。2SK4197FS还具备一定的抗干扰能力和可靠性，适用于对稳定性和寿命要求较高的消费类与工业类电子产品。总之，该型号广泛用于需要小型化、低功耗与高可靠性的电源开关与功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2SK4197FS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK4197FS |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.25 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.25 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.25 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Tc） |
| 系列 | 2SK4197FS |
| 配置 | Single |
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