Datasheet下载- 型号： 2SJ649-AZ
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ649-AZ由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ649-AZ价格参考。RENESAS ELECTRONICS2SJ649-AZ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SJ649-AZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ649-AZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SJ649-AZ的晶体管，属于Renesas Electronics America（瑞萨电子美国）公司生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于需要高效、低电压控制的电子电路中。 该MOSFET常用于电源管理电路，如DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中，以提高能效和延长电池寿命。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，2SJ649-AZ适合用于高电流负载的开关控制，有助于减少功率损耗和发热。 此外，该器件也适用于电机驱动电路、继电器驱动和各类便携式电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑、数码相机和手持测试仪器等。其小型封装设计有利于节省电路板空间，满足现代电子产品轻薄化需求。 总的来说，2SJ649-AZ凭借其良好的电性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制及便携设备中的电源开关和功率管理场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SJ649-AZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 隔离的标片 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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