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  • 型号: 2SD2652T106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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2SD2652T106产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323两极晶体管 - BJT NPN 12V 1.5A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SD2652T106-

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产品型号

2SD2652T106

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 25mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

270 @ 200mA,2V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

UMT3

其它名称

2SD2652T106CT

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

400 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

3 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1.5A

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

直流电流增益hFE最大值

680

直流集电极/BaseGainhfeMin

270

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

12 V

集电极—基极电压VCBO

15 V

集电极—射极饱和电压

80 mV

集电极连续电流

1.5 A

频率-跃迁

400MHz

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2SD2652 General purpose amplification (12V, 1.5A) Datasheet llOutline Parameter Value UMT3   V 12V CEO I 1.5A C    SOT-323   SC-70                         llFeatures 1 A collector current is large llInner circuit 2)Collector saturation voltage is low.  V ≦200mV CE(sat)  at I =500mA /I =25mA C B llApplication LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER llPackaging specifications                                             Basic Package Taping Reel size Tape width Part No. Package ordering Marking size code (mm) (mm) unit.(pcs) 2SD2652 UMT3 2021 T106 180 8 3000 EW                                                                                                                                                                                     www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 20150730 - Rev.001

2SD2652                                 Datasheet llAbsolute maximum ratings (T = 25°C) a Parameter Symbol Values Unit Collector-base voltage V 15 V CBO Collector-emitter voltage V 12 V CEO Emitter-base voltage V 6 V EBO I 1.5 A C Collector current I *1 3 A CP Power dissipation P *2 200 mW D Junction temperature T 150 ℃ j Range of storage temperature T -55 to +150 ℃ stg llElectrical characteristics (T = 25°C) a Values Parameter Symbol Conditions Unit Min. Typ. Max. Collector-base breakdown BV I = 10μA 15 - - V voltage CBO C Collector-emitter breakdown BV I = 1mA 12 - - V voltage CEO C Emitter-base breakdown voltage BV I = 10μA 6 - - V EBO E Collector cut-off current I V = 15V - - 100 nA CBO CB Emitter cut-off current I V = 6V - - 100 nA EBO EB Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC = 500mA, IB = 25mA - 80 200 mV DC current gain h *3 V = 2V, I = 200mA 270 - 680 - FE CE C V = 2V, I = -200mA, Transition frequency f *3 CE E - 400 - MHz T f = 100MHz V = 10V, I = 0mA, Output capacitance C CB E - 12 - pF ob f = 1MHz *1 Pw=1ms, Single Pulse *2 Each terminal mounted on a reference land. *3 Pulsed                                                                                      www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 2/6 20150730 - Rev.001

2SD2652       Datasheet llElectrical characteristic curves(T = 25°C) a Fig.1 Ground Emitter Propagation Fig.2 Typical Output Characteristics                  Characteristics Fig.3 DC Current Gain vs. Collector Fig.4 DC Current Gain vs. Collector                    Current (I)                    Current (II)                                                                                             www.rohm.com 3/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

2SD2652       Datasheet llElectrical characteristic curves(T = 25°C) a Fig.5 Collector-Emitter Saturation Fig.6 Collector-Emitter Saturation       Voltage vs. Collector Current (I)       Voltage vs. Collector Current (II) Fig.7 Base-Emitter Saturation Voltage Fig.8 Gain Bandwidth Product vs.               vs. Collector Current                 Emitter Current                                                                                             www.rohm.com 4/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

2SD2652       Datasheet llElectrical characteristic curves(T = 25°C) a Fig.9 Emitter Input Capacitance vs. Fig.10 Safe Operating Area     Emitter-Base Voltage     Collector Output Capacitance vs.     Collector-Base Voltage                                                                                             www.rohm.com 5/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

2SD2652       Datasheet llDimensions                                                                                             www.rohm.com 6/6 20150730 - Rev.001 © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.

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