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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1683T由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1683T价格参考。ON Semiconductor2SD1683T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD1683T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1683T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SD1683T的晶体管由ON Semiconductor生产,属于双极型晶体管(BJT)中的NPN型。该晶体管主要设计用于高电流和高电压的应用场景,具备良好的开关特性和较高的可靠性,因此广泛应用于多种电子设备中。 常见的应用场景包括: 1. 电源开关电路:2SD1683T可用于DC-DC转换器、电源管理模块等,作为开关元件使用,控制电流的通断。 2. 电机驱动:由于其较高的电流承载能力,适用于小型电机、风扇等负载的驱动控制。 3. 继电器驱动:在需要控制高电压或高电流负载的场合,用作继电器的驱动开关。 4. LED照明驱动:用于LED灯串或背光模块的电流控制,特别是在需要调光功能的照明系统中。 5. 工业控制设备:如PLC、工业自动化设备中的信号放大和开关控制。 6. 消费类电子产品:如电视、音响设备、充电器等内部电源管理与控制电路中。 该晶体管具有较高的耐压能力和较大的集电极电流容量,适合中高功率应用。同时,其封装形式(如TO-126)便于散热和安装,增强了在各类电路中的适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 4A 50V TO-126ML两极晶体管 - BJT BIP NPN 4A 50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1683T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1683T |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 100mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-126ML |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-126ML |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 10 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 200 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | 2SD1683 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 190 mV |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |