Datasheet下载- 型号： 2SB1302S-TD-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1302S-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1302S-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SB1302S-TD-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1302S-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1302S-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1302S-TD-E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款PNP型双极结型晶体管（BJT）。该晶体管常用于中功率放大和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压电源等，作为开关元件控制电流流动，提高电源转换效率。 2. 电机驱动电路：在小型电机或风扇控制电路中，作为驱动晶体管控制电机启停或转速。 3. 音频放大器：适用于低频音频功率放大电路，作为推动级或输出级晶体管使用。 4. 继电器或负载开关控制：用于控制继电器、LED灯组或其他中功率负载的开关操作，起到电子开关作用。 5. 工业自动化控制：在PLC、传感器模块或工业控制板中，作为信号放大或隔离驱动元件。 该晶体管具有良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适合中等功率应用场景。采用SOT-89封装，便于散热和安装，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 5A 20V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 5A 20V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1302S-TD-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1302S-TD-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 60mA，3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 320 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | PCP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1.3 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 8 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 280 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 140 |
| 系列 | 2SB1302 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 25 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 250 mV |
| 集电极连续电流 | - 5 A |
| 频率-跃迁 | 320MHz |
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