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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SA1812T100Q
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1812T100Q由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1812T100Q价格参考。ROHM Semiconductor2SA1812T100Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1812T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1812T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SA1812T100Q是一款P沟道双极结型晶体管（BJT），属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件常用于需要低噪声、高增益性能的模拟与数字电路中。 其主要应用场景包括：音频放大器的前置或驱动级，用于提升信号质量；各类电源管理电路中的线性稳压器或负载开关，实现电流控制；在消费类电子产品如电视、音响设备、家用电器中承担小信号放大或继电器驱动功能；也可用于工业控制模块中的信号隔离与电平转换。 2SA1812T100Q具有良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑型电子设备中使用。其封装形式有利于自动化生产，广泛应用于需高效、稳定性能的中低频电路设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 400V 0.5A SOT-89两极晶体管 - BJT PNP 400V 0.5A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SA1812T100Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1812T100Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SA1812T100QDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 12 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 82 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 400 V |
| 集电极连续电流 | - 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 12MHz |
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