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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2PA1576Q,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2PA1576Q,115价格参考。NXP Semiconductors2PA1576Q,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2PA1576Q,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2PA1576Q,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2PA1576Q,115的晶体管由品牌Nexperia USA Inc.生产,属于双极性晶体管(BJT)类别,是一款单一晶体管器件。该器件主要设计用于高频放大和开关应用。 2PA1576Q,115是一款PNP型晶体管,具有良好的高频响应特性,适用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路,常用于通信设备、无线基础设施和广播接收设备中。其高频性能使其在低噪声放大器和驱动放大器中表现优异。 此外,该晶体管也可用于数字和模拟开关电路,在电源管理和信号路由等场景中发挥作用。由于其封装小巧(通常为SOT-343或类似小型封装),适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。 总结来看,2PA1576Q,115的主要应用场景包括: 1. 射频/中频放大器 2. 低噪声放大电路 3. 数字与模拟开关电路 4. 电源管理与信号切换 5. 通信设备与消费电子
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 50V 150MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors 2PA1576Q,115- |
数据手册 | |
产品型号 | 2PA1576Q,115 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | 2PA1576Q T/R |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 200 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 at 1 mA at 6 V |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
零件号别名 | 2PA1576Q T/R |
频率-跃迁 | 100MHz |