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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7334由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7334价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N7334封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N7334参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7334 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的2N7334是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,属于晶体管中的FET类别。该器件常用于需要高开关速度和低导通电阻的应用中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:2N7344适用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关等电路,用于高效地控制电源传输。 2. 电机驱动:由于其具备较高的电流承载能力和快速开关特性,可用于小型电机或步进电机的驱动电路中。 3. 逻辑电平转换与缓冲:作为MOSFET阵列,其两个独立的N沟道MOSFET可用来实现逻辑电平之间的隔离与转换,以及数字信号的缓冲放大。 4. 工业控制与自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中,用于控制继电器、传感器或执行器的开关操作。 5. 电池供电设备:因功耗低、效率高,适合用于便携式设备或电池管理系统中的开关控制。 该器件采用14引脚DIP或SOIC封装,便于集成在中小功率电路中,适合中低电压应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH QUAD 100V MO-036AB |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 4 个 N 通道 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125223-lds-0212 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N7334 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 700 毫欧 @ 600mA, 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A |