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  • 型号: 2N7334
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N7334由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7334价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N7334封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N7334参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N7334 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的2N7334是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,属于晶体管中的FET类别。该器件常用于需要高开关速度和低导通电阻的应用中。

主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:2N7344适用于DC-DC转换器、稳压器和负载开关等电路,用于高效地控制电源传输。

2. 电机驱动:由于其具备较高的电流承载能力和快速开关特性,可用于小型电机或步进电机的驱动电路中。

3. 逻辑电平转换与缓冲:作为MOSFET阵列,其两个独立的N沟道MOSFET可用来实现逻辑电平之间的隔离与转换,以及数字信号的缓冲放大。

4. 工业控制与自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)和工业自动化设备中,用于控制继电器、传感器或执行器的开关操作。

5. 电池供电设备:因功耗低、效率高,适合用于便携式设备或电池管理系统中的开关控制。

该器件采用14引脚DIP或SOIC封装,便于集成在中小功率电路中,适合中低电压应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH QUAD 100V MO-036AB

产品分类

FET - 阵列

FET功能

标准

FET类型

4 个 N 通道

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125223-lds-0212

产品图片

产品型号

2N7334

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

700 毫欧 @ 600mA, 10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

1.4W

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A

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