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  • 型号: 2N6800U
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6800U由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6800U价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N6800U封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6800U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6800U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的2N6800U是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,属于早期的功率MOSFET设计。它主要用于中低功率开关应用,具有较高的开关速度和较低的导通电阻,适合用于需要快速切换和较高效率的电路中。

该器件的典型应用场景包括:

1. 电源开关电路:2N6800U常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等场合,作为主开关元件,实现电能的高效转换。

2. 电机驱动:在小型电机控制电路中,该MOSFET可用于H桥驱动,控制电机的启停与方向,适用于玩具、小型机器人或自动控制系统。

3. 照明控制:用于LED驱动或灯具调光电路中,作为PWM控制开关,实现亮度调节与节能控制。

4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或小型逆变器中,2N6800U可用于将直流电转换为交流电,支持关键设备的持续运行。

5. 工业控制与自动化:作为固态开关,用于PLC控制输出、继电器替代方案,提升系统响应速度与可靠性。

由于其封装为TO-72(金属罐封装),适用于通孔焊接,适合中等功率且对可靠性有一定要求的应用场合。尽管如今已有更先进的MOSFET型号,但在一些老式设备维护或成本敏感的项目中,2N6800U仍有使用价值。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 400V 18LCC

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125274-lds-0047-1

产品图片

产品型号

2N6800U

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.75nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 2A,10V

供应商器件封装

*

功率-最大值

800mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Tc)

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