Datasheet下载- 型号： 2N6766T1
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6766T1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6766T1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N6766T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N6766T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6766T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N6766T1 是由 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology）生产的晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别中的单个器件。以下是其可能的应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - 2N6766T1 可用于设计高效的开关电源电路。作为 MOSFET，它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。 - 在这些应用中，MOSFET 用作高频开关元件，控制电流的流动以实现电压调节。 2. 电机驱动与控制 - 在小型电机驱动电路中，2N6766T1 可用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它适合应用于家用电器（如风扇、泵）或工业自动化设备中的直流电机驱动。 3. 信号放大与缓冲 - 由于其高输入阻抗和低输出阻抗特性，2N6766T1 可用于信号放大或缓冲电路中，将弱信号增强到所需的电平。 - 这种应用场景常见于音频设备、传感器接口或通信系统。 4. 负载切换与保护 - 在需要频繁开启或关闭负载的情况下，2N6766T1 可用作电子开关，控制负载电流的通断。 - 同时，它也可以集成到过流保护、短路保护等电路中，确保系统的安全运行。 5. 逆变器与太阳能系统 - 在小型逆变器中，2N6766T1 可用于将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的能量转换。 - 它还适用于太阳能电池板的最大功率点跟踪（MPPT）控制器，优化能量输出。 6. 脉宽调制（PWM）电路 - MOSFET 是 PWM 控制电路的理想选择，2N6766T1 可用于生成精确的占空比信号，控制 LED 亮度、电机速度或其他负载参数。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域，2N6766T1 可用于车灯控制、座椅加热、窗户升降等电路中，提供可靠且高效的开关功能。 总结 2N6766T1 的主要应用场景集中在需要高效开关、功率控制和信号放大的场合。其性能特点使其在消费电子、工业控制、汽车电子以及可再生能源领域均具有广泛的应用潜力。具体使用时需根据实际需求选择合适的驱动电路和散热方案，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V TO-254AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/77270-lds-0101-pdfhttp://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125226-lds-0101-1 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N6766T1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 115nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 30A， 10V |
| 供应商器件封装 | TO-254AA |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-254-3，TO-254AA（直引线） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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