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  • 型号: 2N4393-E3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N4393-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4393-E3价格参考。Vishay2N4393-E3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N4393-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N4393-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18JFET 55V 5pA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N4393-E3-

数据手册

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产品型号

2N4393-E32N4393-E3

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 40 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 40 V

不同Id时的电压-截止(VGS关)

500mV @ 1nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

5mA @ 20V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

14pF @ 20V

产品种类

JFET

供应商器件封装

TO-206AA (TO-18)

功率-最大值

1.8W

包装

散装

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

SMD/SMT

封装

Bulk

封装/外壳

TO-206AA,TO-18-3 金属罐

封装/箱体

TO-206AA

工厂包装数量

200

晶体管极性

N-Channel

标准包装

200

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

40V

电阻-RDS(开)

100 欧姆

配置

Single

闸/源击穿电压

- 40 V

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