Datasheet下载- 型号： 2N4393-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4393-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4393-E3价格参考。Vishay2N4393-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N4393-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N4393-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix生产的2N4393-E3是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），属于小信号JFET，广泛应用于模拟电路中。其主要应用场景包括低噪声放大器、前置放大电路、音频放大器以及信号处理电路等。由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，2N4393-E3特别适合用于微弱信号的放大，如在麦克风前置放大器或传感器信号调理电路中。 此外，该器件也常用于模拟开关、恒流源设计和有源滤波器中。其稳定的跨导性能和良好的温度特性使其在精密模拟系统中表现优异。2N4393-E3采用TO-92封装，体积小巧，适用于空间受限的消费类电子产品、通信设备和工业控制模块。 总体而言，2N4393-E3凭借其可靠的性能和高性价比，广泛应用于需要低噪声、高输入阻抗和良好线性度的模拟电子系统中，尤其适合对信号保真度要求较高的音频与传感应用领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18JFET 55V 5pA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N4393-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N4393-E32N4393-E3 |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 500mV @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 5mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-206AA （TO-18） |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-206AA |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 200 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 100 欧姆 |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
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