Datasheet下载- 型号： 1SMA11AT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1SMA11AT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1SMA11AT3G价格参考。ON Semiconductor1SMA11AT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1SMA11AT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1SMA11AT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的1SMA11AT3G是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），属于表面贴装型SMA封装，主要用于电路中的过电压保护。其击穿电压为11V左右，响应速度快，能有效吸收静电放电（ESD）、电感负载切换和雷击感应等引起的瞬态脉冲。 该器件广泛应用于对电源和信号线路进行保护的场景，常见用途包括：消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、家用电器）中的接口保护（USB、HDMI等）；工业控制设备中传感器和通信端口的防浪涌设计；汽车电子系统中的辅助电路保护（如车载信息终端、照明控制模块）；以及通信设备、电源适配器和便携式仪器等需要高可靠性防护的场合。 由于采用无铅环保封装（T3G表示符合RoHS标准），1SMA11AT3G适用于注重环保与安全的现代电子产品制造。其紧凑的SMA封装节省PCB空间，适合高密度布局设计。总体而言，该TVS二极管适用于需要快速响应、高效吸收瞬态能量且空间受限的低压电路保护应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMATVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMA TVS |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor 1SMA11AT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1SMA11AT3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同频率时的电容 | 1nF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SMA |
| 击穿电压 | 6.7 V to 91.25 V |
| 功率-峰值脉冲 | 400W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA |
| 封装/箱体 | SMA |
| 尺寸 | 2.6 mm W x 4.32 mm L x 2.2 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 22 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 400 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 91.25 V |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | 1SMA5.0AT3 |
| 钳位电压 | 18.2 V |
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