Datasheet下载- 型号： 1N6471US
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6471US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6471US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N6471US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N6471US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N6471US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology旗下品牌）的1N6471US是一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路中的过电压保护。该器件通过快速响应瞬态电压冲击，将电压钳位在安全范围内，从而保护后续电路元件免受损坏。 1N6471US的典型应用场景包括： 1. 通信设备保护：用于保护以太网、RS-485等通信接口，防止因雷击、静电放电（ESD）或电感负载切换引起的瞬态电压损坏通信芯片。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器和执行器接口中提供瞬态电压抑制，保障工业设备在恶劣电磁环境下的稳定运行。 3. 电源输入保护：用于直流电源输入端，防止因电源波动或外部瞬态干扰导致的电压尖峰损坏电源模块或负载电路。 4. 消费电子产品：如机顶盒、路由器、打印机等设备中，用于保护USB、HDMI等接口免受静电和瞬态电压影响。 5. 汽车电子系统：适用于车载电子控制单元（ECU）、CAN总线接口等，满足汽车环境中较高的电磁兼容性要求。 该TVS二极管具有响应速度快、钳位电压低、可靠性高等特点，适用于需要高稳定性和高保护性能的电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 22.6VC GMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11067-sd51a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N6471US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | G-MELF （D-5C） |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， G |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 22.6V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 374A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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