Datasheet下载- 型号： 1N6363
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6363由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6363价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N6363封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N6363参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N6363 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的1N6363是一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）和浪涌等瞬态电压的损害。 该器件的典型应用场景包括： 1. 通信接口保护：用于保护RS-232、USB、以太网等通信端口，防止外部瞬态电压对主控芯片造成损坏。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器和工业计算机中，为关键信号线和电源线路提供过压保护。 3. 消费电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，用于保护连接器和数据接口免受静电冲击。 4. 汽车电子系统：用于车载电子模块（如ECU、车载娱乐系统）中，提高系统在复杂电磁环境下的可靠性。 5. 电源模块和适配器：用于输入或输出端口的电压钳位，防止瞬态高压损坏后级电路。 1N6363具备较高的击穿电压和较强的瞬态吸收能力，适用于中高功率保护需求，是提升电子设备可靠性和稳定性的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 36VWM 54.3VC DO13 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/129294-lds-0292 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N6363 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-13 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W （1.5kW） |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-13 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 42.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 36V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 54.3V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 23A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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