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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5657由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5657价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5657封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5657参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5657 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation生产的1N5657是一款TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于高可靠性瞬态保护器件。该型号主要用于电子电路中的过压保护,特别适用于抑制静电放电(ESD)、电感负载切换、雷击感应等引起的瞬态高压脉冲。 1N5657典型的应用场景包括:通信设备中的接口保护(如电话线路、数据线)、工业控制系统的电源与信号线防护、消费类电子产品中的敏感电路保护,以及汽车电子中对低压供电网络的浪涌抑制。由于其具有快速响应时间(皮秒级)和高浪涌吸收能力,能够在瞬态过压发生时迅速钳位电压,保护后级半导体器件(如集成电路、微处理器)免受损坏。 此外,1N5657符合军用标准设计,具备高可靠性和稳定性,因此也广泛应用于航空航天、军事装备等对元器件性能要求严苛的领域。其单向TVS结构适合直流电源或单极性信号线路的保护,常用于+5V至+400V的系统中。 综上所述,1N5657 TVS二极管主要应用于需要高效瞬态过压保护的工业、通信、汽车及高可靠性电子系统中,是保障电路安全稳定运行的重要元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 81VWM 144VC DO13 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8922-lds-0096-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5657 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-13 |
| 其它名称 | 1N5657MS |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | DO-13 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 90V |
| 电压-反向关态(典型值) | 81V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 144V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 10.4A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |