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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5386BRLG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5386BRLG价格参考。ON Semiconductor1N5386BRLG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5386BRLG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5386BRLG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5386BRLG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。该型号的主要应用场景包括: 1. 电压稳压 - 1N5386BRLG 的齐纳电压为 7.5V,常用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以与电阻配合使用,确保负载端的电压保持恒定,即使输入电压或负载发生变化。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中,齐纳二极管可用于防止过高的电压损坏电路。当电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余的能量泄放到地,从而保护后续电路。 3. 信号电平调整 - 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号的最大幅度。例如,在音频或射频电路中,它可以帮助将输入信号限制在安全范围内,避免失真或损坏。 4. 温度补偿 - 齐纳二极管的击穿电压可能会随温度变化而改变。1N5386BRLG 可与其他温度敏感元件结合使用,设计出具有温度补偿功能的电路。 5. 基准电压源 - 由于其稳定的齐纳电压特性,1N5386BRLG 可用作精密基准电压源,为模拟电路、比较器或运算放大器提供参考电压。 6. 浪涌抑制 - 在电力系统或工业控制中,齐纳二极管可用于吸收瞬态电压浪涌,保护敏感元件免受雷击或其他电气干扰的影响。 7. 电池充电保护 - 在简单的电池充电电路中,齐纳二极管可以用作电压检测元件,确保充电电压不会超过电池的安全范围。 特性总结 - 额定功率:5W - 齐纳电压:7.5V - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C - 封装形式:DO-41 这些特性使得 1N5386BRLG 成为一种广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子领域的通用齐纳二极管。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 180V 5W AXIAL稳压二极管 180V 5W |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1N5386BRLG- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5386BRLG |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 137V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | 轴向 |
其它名称 | 1N5386BRLGOSCT |
功率-最大值 | 5W |
功率耗散 | 5 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | T-18,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 4000 |
最大反向漏泄电流 | 500 nA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 430 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 180V |
电压容差 | 5 % |
电压调节准确度 | 4 V |
系列 | 1N53 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 430 欧姆 |
齐纳电压 | 180 V |
齐纳电流 | 26.4 mA |