Datasheet下载- 型号： 1N5367BE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5367BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5367BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5367BE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5367BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5367BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属于Littelfuse）的1N5367BE3/TR8是一款齐纳二极管，属于单颗齐纳二极管类型。该器件主要用于电压参考和电压调节应用。 其典型应用场景包括： 1. 电源电路中的电压基准：由于齐纳二极管在反向击穿区具有较稳定的电压特性，1N5367BE3/TR8常用于为模拟电路、ADC/DAC模块提供精确的电压参考。 2. 过压保护电路：可用于保护敏感电子元件免受过高电压的影响，在电源输入端或信号线路中作为钳位器件使用。 3. 稳压电路设计：适用于低功耗的稳压电路，尤其在不需要复杂开关稳压器的小型系统中，如电池供电设备、传感器供电模块等。 4. 工业控制与通信设备：广泛应用于工业自动化设备、通信模块、测试仪器中，以确保电路工作的稳定性与可靠性。 5. 汽车电子系统：因其具备一定的稳定性和可靠性，也可用于汽车电子中的辅助电源管理电路。 该器件采用表面贴装封装（SOD-123），适合高密度PCB布局，且具备良好的热稳定性和响应速度，适用于多种电子系统中的基础电压控制功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 43V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5367BE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 31V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 43V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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