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  • 型号: 1N5366BE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5366BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5366BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5366BE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5366BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5366BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N5366BE3/TR12 是由 Microsemi Corporation(现为 Microchip Technology)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这款器件的主要应用场景包括:

1. 电压稳压:  
   1N5366BE3/TR12 的齐纳击穿电压为 6.8V,适用于需要稳定电压的电路中。例如,在电源电路中,它可以用来提供稳定的参考电压,确保负载设备在特定电压范围内正常工作。

2. 过压保护:  
   在某些电路中,可能会出现瞬时电压尖峰或过压情况。这款齐纳二极管可以将电压钳位在 6.8V,从而保护下游敏感元件免受过高电压的影响。

3. 信号电平调整:  
   在信号处理电路中,齐纳二极管可用于调节输入或输出信号的电平。通过将信号电压限制在一定范围内,可以避免信号失真或损坏后续电路。

4. 基准电压源:  
   由于其稳定的击穿电压特性,1N5366BE3/TR12 可用作简单的基准电压源。在一些低精度应用中,这种齐纳二极管可以替代更复杂的稳压器芯片。

5. 功率转换电路:  
   在开关电源或 DC-DC 转换器中,齐纳二极管可以用作反馈回路中的参考电压元件,帮助控制输出电压的稳定性。

6. 温度补偿电路:  
   齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有波动。如果设计得当,1N5366BE3/TR12 可用于温度补偿电路中,以抵消其他元件的温度漂移效应。

7. 浪涌抑制:  
   在工业或汽车电子中,齐纳二极管可以用来吸收瞬态电压浪涌,保护关键组件不受损害。

总结来说,1N5366BE3/TR12 适用于需要简单、可靠电压控制或保护功能的场景,尤其是在成本敏感或空间受限的应用中。然而,对于更高精度或更大功率的需求,可能需要选择更高级别的稳压器或保护器件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 39V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

1N5366BE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 28.1V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

39V

阻抗(最大值)(Zzt)

14 欧姆

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