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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5365E3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5365E3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5365E3/TR13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5365E3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5365E3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5365E3/TR13是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类型。该型号具有稳定的反向击穿电压特性,常用于电压参考和稳压电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源稳压电路:用于提供稳定的电压参考,确保输出电压在负载变化时仍保持恒定,广泛应用于直流电源、开关电源和电池充电器中。 2. 电压监测与保护电路:在电路中作为电压检测元件,防止电压过高造成设备损坏,例如用于过压保护(OVP)电路中。 3. 基准电压源:由于其具有良好的温度稳定性和重复性,适用于模拟电路、数据转换器(如ADC/DAC)中的基准电压源。 4. 信号调节电路:用于限制信号幅度,保护后续电路免受高电压信号干扰,常见于通信和工业控制系统中。 5. 消费电子与工业设备:广泛应用于家电、工控设备、仪表仪器等对电压稳定性要求较高的电子设备中。 该器件采用表面贴装封装(如SOD-123),适合自动化生产和小型化设计,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于多种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 36V 20% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5365E3/TR13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.9V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,250 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 36V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 11 欧姆 |