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  • 型号: 1N5339BE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5339BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5339BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5339BE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5339BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5339BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现属于Littelfuse)的1N5339BE3/TR8是一款齐纳二极管,属于单路齐纳二极管类别。该器件主要用于电压调节和电压参考应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于提供稳定的参考电压,确保电源输出电压的稳定性,广泛应用于DC-DC转换器、稳压电源等。

2. 过压保护电路:在电路中作为电压钳位元件,防止因电压过高而损坏敏感电子元件。

3. 信号调理电路:在模拟电路中提供精确的电压基准,用于运算放大器、比较器等电路的参考电压源。

4. 嵌入式系统与工业控制:用于工业控制系统、测量仪器、通信设备中,作为电压监测和调节的关键元件。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统中,提供稳定的参考电压,确保车载电子设备的正常运行。

该器件采用表面贴装(SMT)封装,适合自动化生产,具有良好的稳定性和可靠性,适用于对性能和空间要求较高的电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 5.6V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5339BE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

1µA @ 2V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

5.6V

阻抗(最大值)(Zzt)

1 欧姆

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