Datasheet下载- 型号： 1N5281BDO35TR
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5281BDO35TR由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5281BDO35TR价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5281BDO35TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5281BDO35TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5281BDO35TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的1N5281BDO35TR是一种单齐纳二极管，主要用于电压参考和稳压应用。该器件广泛应用于需要稳定电压源的电子电路中，例如电源管理模块、电池充电器、电压监测电路以及模拟电路中的基准电压源。 该型号齐纳二极管具有精确的击穿电压（通常为3.3V至30V范围内，具体取决于设计需求），能够在反向击穿状态下保持电压基本恒定，从而为电路提供稳定的参考电压。其小型封装（如DO-35）适合空间受限的设计，同时具备良好的温度稳定性和可靠性，适用于工业控制、通信设备、消费电子产品及汽车电子等领域。 此外，1N5281BDO35TR也可用于过压保护电路中，防止敏感电子元件因电压异常而损坏。其高稳定性和耐用性使其成为众多电子系统中不可或缺的基础元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 200V 500MW DO-35 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 1N5281BDO35TR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 152V |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5281B(DO-35)MSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 200V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2500 欧姆 |
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