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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5235BTR由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5235BTR价格参考。Fairchild Semiconductor1N5235BTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5235BTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5235BTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5235BTR 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 - 1N5235BTR 的齐纳电压为 5.6V,适用于需要稳定电压的电路中。例如,在电源电路中,它可以用来将输出电压稳定在 5.6V,以保护后级电路免受电压波动的影响。 - 常见应用包括稳压电源、参考电压生成等。 2. 过压保护 - 在电路中,该齐纳二极管可以用于防止输入电压过高对敏感器件造成损害。例如,在信号输入端口或传感器接口处,1N5235BTR 可以钳位电压,确保不超过 5.6V。 3. 信号电平转换 - 在数字电路或模拟电路中,1N5235BTR 可用于将信号电压限制在特定范围内。例如,将输入信号限制在 5.6V 以下,以便与低电压器件兼容。 4. 基准电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的反向击穿电压特性,1N5235BTR 可用作基准电压源。它常被用在运放电路、比较器电路或 ADC/DAC 电路中,提供精确的参考电压。 5. 浪涌抑制 - 在开关电源或电机驱动电路中,1N5235BTR 可以吸收瞬态电压浪涌,保护电路中的其他元件。例如,在继电器线圈断开时产生的反向电动势可以通过齐纳二极管释放。 6. 音频和通信电路 - 在音频放大器或通信设备中,1N5235BTR 可用于限制信号幅度,避免信号失真或损坏后续电路。 特性总结: - 齐纳电压:5.6V - 功率耗散:约 0.5W(具体视封装而定) - 工作温度范围:通常为 -55°C 至 +175°C - 封装形式:TO-205AB(适合小型化设计) 总之,1N5235BTR 是一款经济实用的齐纳二极管,广泛应用于各种需要稳压、限幅和保护功能的电子电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35稳压二极管 6.8V 0.5W Zener |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Fairchild Semiconductor 1N5235BTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5235BTR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5235BFSTR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 126 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/DIODESKITFS/DIODESKITFS-ND/1770760 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.05 %/C |
| 系列 | 1N5235B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |
| 零件号别名 | 1N5235BTR_NL |
| 齐纳电压 | 6.8 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |