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产品简介:
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1N4680 是由 Microsemi Corporation 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管系列(型号为 DO35 封装)。该器件的主要应用场景包括以下方面: 1. 电压稳压 - 1N4680 的齐纳击穿电压为 2.4V,适合用于低电压稳压电路。它可以在电源电路中提供稳定的参考电压,确保后级电路的正常工作。 - 常见应用:为低功耗设备或敏感电子元件提供稳定的供电电压。 2. 过压保护 - 在电路设计中,1N4680 可以用来防止输入电压过高对后续电路造成损坏。当输入电压超过齐纳电压时,二极管会导通并将多余电压泄放掉。 - 应用实例:保护微控制器、传感器或其他低电压器件免受瞬态高压冲击。 3. 信号电平转换 - 齐纳二极管可以用于将输入信号限制在特定范围内,适用于信号调理电路。例如,在音频或通信电路中,可以使用 1N4680 来限制信号幅值。 - 典型场景:限幅器电路、信号削波。 4. 基准电压源 - 由于其稳定的齐纳电压特性,1N4680 可作为简易的基准电压源,为比较器、运算放大器等电路提供参考电压。 - 使用场景:模拟电路中的电压比较器、ADC/DAC 电路中的参考电压生成。 5. 噪声抑制 - 在高频或射频电路中,1N4680 可用于吸收多余的噪声信号,减少干扰对系统性能的影响。 - 应用领域:射频前端保护、滤波电路。 6. 电池管理 - 在便携式设备中,齐纳二极管可用于监测电池电压,确保电池不会过充或过放。1N4680 的低齐纳电压使其适合用于低电压电池管理系统。 - 示例:小型锂电池保护电路。 总结 1N4680 的典型应用场景集中在低电压稳压、过压保护、信号电平转换以及基准电压生成等领域。由于其封装小巧(DO35),适合用于空间受限的设计环境。同时,它的低齐纳电压特性使其成为低功耗和小信号应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 2.2V 500MW DO-35 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125997-lds-0240 |
产品图片 | |
产品型号 | 1N4680 (DO35) |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 4µA @ 1V |
供应商器件封装 | DO-35 |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
工作温度 | -65°C ~ 175°C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 2.2V |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |