图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: 1N4004
  • 制造商: Central Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

1N4004产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N4004由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4004价格参考。Central Semiconductor1N4004封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 标准 通孔 二极管 400V 1A DO-41。您可以下载1N4004参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4004 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1N4004是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款通用硅整流二极管,属于1N400X系列。它是一种单向导电的半导体器件,主要用于将交流电(AC)转换为直流电(DC),广泛应用于各种电子电路中。以下是1N4004的主要应用场景:

 1. 电源整流
   - 1N4004常用于简单的整流电路中,将交流电通过桥式整流器或单个二极管转化为直流电。它的最大反向电压为400V,适合低至中等电压的应用场景。
   - 例如:小型适配器、充电器、LED驱动电源等。

 2. 续流保护
   - 在开关电路中,1N4004可以用作续流二极管,保护感性负载(如继电器、电机、变压器等)免受反电动势的影响。
   - 当开关断开时,感性负载会产生反向高压,1N4004可以提供一个安全的电流回路,避免损坏其他元件。

 3. 浪涌吸收
   - 由于1N4004具有较高的反向耐压能力(400V),它可以用来吸收电路中的瞬态电压浪涌,保护敏感设备。
   - 例如:抑制电网波动对电子设备的影响。

 4. 极性保护
   - 在一些需要防止电源反接的电路中,1N4004可以用作极性保护二极管,确保只有正确的极性连接时电路才会工作。
   - 例如:电池供电设备、便携式电子产品等。

 5. 信号隔离
   - 在某些数字或模拟电路中,1N4004可以用作信号隔离二极管,防止不同电路之间的干扰或电流倒流。

 参数特点:
- 最大正向电流(IF):1A
- 最大反向电压(VR):400V
- 最大反向漏电流:5μA(在25℃时)
- 正向电压降(VF):约1V(在IF=1A时)

 注意事项:
- 1N4004适用于较低频率的整流应用,不建议用于高频电路(高于几百kHz)。
- 在选择替代品时,需确保其参数(如电流、电压)满足实际需求。

总之,1N4004是一款经济实用的整流二极管,适用于多种低功率和中等电压的电子电路设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Central Semiconductor

产品目录

半导体

描述

整流器 Vr/50v Io/1A T/R

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

二极管与整流器,整流器,Central Semiconductor 1N4004

产品型号

1N4004

产品

Standard Recovery Rectifiers

产品种类

整流器

反向电压

400 V

反向电流IR

5 uA

商标

Central Semiconductor

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/箱体

DO-41

工厂包装数量

5000

恢复时间

30 ns

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

50 A

最小工作温度

- 65 C

正向电压下降

1.1 V

正向连续电流

1 A

系列

1N4004

配置

Single

推荐商品

型号:BAS20W-7-F

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:HFA04TB60STRR

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STPS30H100DJF-TR

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DA2S10400L

品牌:Panasonic Electronic Components

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:1N914B

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:B220A-13-F

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:JANTX1N4148-1

品牌:Microsemi Corporation

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:MBRF1060

品牌:SMC Diode Solutions

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
1N4004 相关产品

MURS340-E3/57T

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

价格:¥1.02-¥1.02

BYG23T-M3/TR3

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

价格:

RGL34J/1

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

价格:

CMR1U-04 TR13

品牌:Central Semiconductor Corp

价格:

DB2S30800L

品牌:Panasonic Electronic Components

价格:

UF5A400D1-13

品牌:Diodes Incorporated

价格:

ES2A-E3/52T

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

价格:

RGP10G-E3/54

品牌:Vishay Semiconductor Diodes Division

价格:

猜你喜欢 最新产品推荐 其他制造商
Central Semiconductor
Diodes Inc.
Fairchild Semiconductor
MCC
ON Semiconductor
Rectron
Taiwan Semiconductor
Vishay
Motorola
National Semiconductor
PHILIPS LUMILEDS
MICRO-SEMI
RCA
Diotec
Fagor
DC Components Co.
NTE Electronics, Inc.
TAITRON COMPONENTS
MERITEK ELECTRONICS
WILLAS ELECTRONIC CORP
GULF SEMICONDUCTOR
SAG COMPONENTS
MULTICOMP
NMA
DIODES ZETEX
GENERAL SEMI.
GTC
TYCO INTERNATIONAL LTD.
Lite-On Semiconductor Corporation
Diotec Electronics Corp

PDF Datasheet 数据手册内容提取

1N4001 THRU 1N4007 Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER Features DO-41  The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 1.0 (25.4)  Idea for printed circuit board MIN.  Open Junction chip  Low reverse leakage 0.107 (2.7) 0.080 (2.3)  High forward surge current capability DIA.  High temperature soldering guaranteed 0.205(5.2) 250℃/10 seconds at terminals 0.166(4.2) Mechanical Data 1.0 (25.4) Case : JEDEC DO-41 Molded plastic body MIN. Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026 0.025 (0.65) Polarity : Polarity symbol marking on body 0.021 (0.55) DIA. Mounting Position : Any Weight : 0.012 ounce, 0.33 grams Dimensions in inches and (millimeters) Maximum Ratings And Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unlss otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%. 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Parameter SYMBOLS UNITS MDD MDD MDD MDD MDD MDD MDD MarkingCode 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Maximum repetitive peak reverse voltage VRMM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current I(AV) 1.0 A at TL=110℃ Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave IFSM 30 A superimposed onrated load (JEDEC Method) Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A VF 1.10 V MaximumDCreversecurrent TA=25℃ 5.0 atratedDCblockingvoltage TA=100℃ IR 50.0 μA Typical junction capacitance (NOTE 1) CJ 15.0 pF Typical thermal resistance (NOTE 2) RθJA 50.0 ℃/W Operating junction and storage temperature range TJ,TSTG -55to+150 ℃ Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375 (9.5m”m)lead length,P.C.B. mounted DN:T20526A0 http://www.microdiode.com Rev:2020A0 Page :1

1N4001 THRU 1N4007 Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere Ratings And Characteristic Curves T, N E FIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE FIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD R T, SURGE CURRENT R N U 1.0 E 30 C R D UR TIFIE 0.8 GE C 25 WARD RECAMPERES 00..64 SHianlgf lWe aPvhea s6e0Hz WARD SURAMPERES 2105 OR Rinedsuicsttiivvee Loorad OR GE F 0.2 K F 10 8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE A A (JEDEC Method) R E E 0 P V 0 25 50 75 100 125 150 175 5.0 A 1 10 100 AMBIENT TEMPERATURE, C NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz FIG. 3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD FIG. 4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS CHARACTERISTICS T, D 20 EN 1,000 R R A 10 R ORWERES E CU 100 TJ=150 C S FMP RSES UA 1 ER NEOENT, REVMPE 10 STANTACURR 0.1 TP1%JU=LD2S5UE TC YW CIDYTCHL=E300 ms NEOUS MICROA 1 TJ=100 C N A I T N 0.1 0.01 A 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.5 T TJ=25 C S N I 0.01 0 20 40 60 80 100 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE,% E, FIG. 5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE C FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE N 200 A 100 F D E, p 100 TJ=25 C PE C M CITAN RMAL IW 10 PA HEC/ N CA 10 NT T 1 O E TI SI C N N A U R J T 0.1 0.01 0.1 1 10 100 1 0.1 1.0 10 100 REVERSE VOLTAGE,VOLTS t,PULSE DURATION,sec. The curve above is for reference only. http://www.microdiode.com Rev:2020A0 Page :2