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  • 型号: 1.5KE11ARL4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1.5KE11ARL4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1.5KE11ARL4G价格参考。ON Semiconductor1.5KE11ARL4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1.5KE11ARL4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1.5KE11ARL4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

1.5KE11ARL4G是Littelfuse公司生产的单向TVS(瞬态电压抑制)二极管,属于1.5KE系列,额定反向关断电压(VWM)为9.4 V,击穿电压(VBR)典型值为11 V(测试电流1 mA),最大钳位电压(VC)为15.4 V(峰值脉冲电流20.8 A)。其核心应用场景是电路级瞬态过压保护。

典型应用包括:  
- 电源输入端口防护:用于直流电源适配器、工业控制电源模块等,抵御雷击感应浪涌、开关噪声或负载突变引起的瞬态尖峰;  
- 通信接口保护:如RS-232/RS-485总线、CAN总线节点前端,防止静电放电(ESD)和EFT(电快速瞬变脉冲群)损坏后级收发器;  
- 消费电子与工控设备:在微控制器I/O口、传感器供电线路、继电器驱动回路中提供低成本、高可靠性的二级防护(常与保险丝或PTC配合使用);  
- 汽车电子辅助系统:适用于12 V车载系统(如车身控制模块、照明驱动)中抑制抛负载(Load Dump)以外的中小能量瞬变(注:该器件不满足ISO 7637-2标准中严苛的5a/5b抛负载要求,需搭配专用抛负载抑制器件)。

该器件采用DO-201AD封装,通流能力达1500 W(10/1000 μs波形),响应时间<1 ps,具备低漏电流(IR < 5 μA @ 9.4 V)和稳定击穿特性,适用于空间受限但需基础浪涌防护的中低功率电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC AXIAL

产品分类

TVS - 二极管

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

1.5KE11ARL4G

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Mosorb™

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

轴向

功率-峰值脉冲

1500W (1.5kW)

包装

带卷 (TR)

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

通孔

封装/外壳

DO-201AD,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

应用

通用

标准包装

1,500

电压-击穿(最小值)

10.5V

电压-反向关态(典型值)

9.4V

电压-箝位(最大值)@Ipp

15.6V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

-

电源线路保护

类型

齐纳

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