分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块 共1353条产品


 
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IGBT 类型

 
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

 
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安装类型

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
电流 - 集电极(Ic)(最大值)

 
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序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 暂无 FS800R07A2E3B32BOSA1 Infineon Technologies Y IGBT Module
2 暂无 FS50R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 沟槽型场截止 全桥反相器 1200V 83A 335W 底座安装 模块
3 暂无 FS50R12W2T4B11BOMA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 沟槽型场截止 三相反相器 1200V 83A 335W 底座安装 模块
4 暂无 FP15R12KT3BOSA1 Infineon Technologies IGBT Module 三相反相器 1200V 18A 83.5W 底座安装 模块
5 暂无 FF300R12KE3B2HOSA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 沟槽型场截止 半桥 1200V 440A 1450W 底座安装 模块
6 FF600R12IP4BOSA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 沟槽型场截止 半桥 1200V 600A 3350W 底座安装 模块
7 STGE50NC60WD STMicroelectronics IGBT Module 单路 600V 100A 260W 底座安装 ISOTOP
8 STGE50NC60WD STMicroelectronics Y IGBT Module 单路 600V 100A 260W 底座安装 ISOTOP
9 IXYN100N120C3H1 IXYS Y IGBT Module 单路 1200V 134A 690W 底座安装 SOT-227B
10 暂无 IXGN400N60B3 IXYS Y IGBT Module PT 单路 600V 430A 1000W 底座安装 SOT-227B
11 暂无 FS100R12KS4BOSA1 Infineon Technologies IGBT Module 三相反相器 1200V 130A 660W 底座安装 模块
12 APTGT100DA60T1G Microsemi Corporation Y IGBT Module 沟槽型场截止 单路 600V 150A 340W 底座安装 SP1
13 暂无 BSM400GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 单路 1700V 800A 3120W 底座安装 模块
14 暂无 BSM400GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 单路 1200V 625A 2500W 底座安装 模块
15 暂无 BSM400GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies Y IGBT Module 单开关 1200V 550A 2700W 底座安装 模块
16 暂无 FPF1C2P5MF07AM ON Semiconductor Y IGBT Module 全桥反相器 620V 39A 231W 底座安装 F1
17 暂无 FPF2C110BI07AS2 ON Semiconductor Y IGBT Module 半桥 650V 40A 300W 通孔 F2
18 暂无 FPF2C8P2NL07A ON Semiconductor Y IGBT Module 场截止 三相 650V 30A 135W 底座安装 F2
19 暂无 FPF2G120BF07AS ON Semiconductor Y IGBT Module 场截止 3 个独立式 650V 40A 156W 通孔 F2
20 暂无 FPF2G120BF07ASP ON Semiconductor Y IGBT Module 场截止 3 个独立式 650V 40A 156W 通孔 F2

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