分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 共2242条产品


 
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

 
晶体管类型

 
功率 - 最大值

 
安装类型

 
零件状态

 
基本零件编号

 
电流 - 集电极(Ic)(最大值)

 
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

 
封装/外壳

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
频率 - 跃迁

 
电阻器 - 基底(R1)

 
电流 - 集电极截止(最大值)

 
电阻器 - 发射极基底(R2)

 
包装

 
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电压 - 集射极击穿(最大值):x
频率 - 跃迁:x
电阻器 - 基底(R1):x
电流 - 集电极截止(最大值):x
电阻器 - 发射极基底(R2):x
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序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 XN0121400L Panasonic Electronic Components Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 150MHz 300mW 表面贴装 迷你型5-G1
2 PUMD2,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
3 PUMD2,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 6-TSSOP
4 RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ES6
5 RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 100mW 表面贴装 ES6
6 RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 US6
7 RN4906,LF Toshiba Semiconductor and Storage Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 200MHz 200mW 表面贴装 US6
8 PEMD10,115 Nexperia USA Inc. Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 300mW 表面贴装 SOT-666
9 NSTB1002DXV5T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN 预偏压式,1 PNP 50V,40V 100mA,200mA 250MHz 500mW 表面贴装 SOT-553
10 NSVB143ZPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
11 NSVBA114EDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563-6
12 NSVBA114YDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
13 NSVBC114EDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
14 NSVBC114EPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
15 NSVBC114YPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
16 NSVBC123JPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
17 NSVBC124EDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
18 NSVBC124EPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 339W 表面贴装 SOT-563
19 NSVBC124XPDXV6T1G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 50V 100mA 500mW 表面贴装 SOT-563
20 SMUN5235DW1T3G ON Semiconductor Y Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 NPN 预偏压式(双) 50V 100mA 187mW 表面贴装 SOT-363

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