分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 共3209条产品


 
工作温度

 
漏源电压(Vdss)

 
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

 
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

 
FET 功能

 
功率 - 最大值

 
安装类型

 
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

 
基本零件编号

 
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

 
FET 类型

 
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零件状态

 
包装

 
供应商器件封装

 
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序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 DMN61D9UDW-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 350mA 320mW 表面贴装 SOT-363
2 DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 350mA 320mW 表面贴装 SOT-363
3 DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 350mA 320mW 表面贴装 SOT-363
4 DMN61D9UDW-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 350mA 320mW 表面贴装 SOT-363
5 MMDF2C03HDR2G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装 8-SOIC
6 MMDF2C03HDR2 ON Semiconductor N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装 8-SOIC
7 MMDF2C03HDR2 ON Semiconductor N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装 8-SOIC
8 MMDF2C03HDR2G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装 8-SOIC
9 MMDF2C03HDR2G ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 4.1A,3A 2W 表面贴装 8-SOIC
10 FDC6320C ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 25V 220mA,120mA 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6
11 FDC6320C ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 25V 220mA,120mA 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6
12 FDC6320C ON Semiconductor Y N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 25V 220mA,120mA 700mW 表面贴装 SuperSOT™-6
13 DMN33D8LDW-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 250mA 350mW 表面贴装 SOT-363
14 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 250mA 350mW 表面贴装 SOT-363
15 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 250mA 350mW 表面贴装 SOT-363
16 DMN33D8LDW-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 250mA 350mW 表面贴装 SOT-363
17 DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 220mA 300mW 表面贴装 SOT-363
18 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 220mA 300mW 表面贴装 SOT-363
19 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 220mA 300mW 表面贴装 SOT-363
20 DMN63D8LDWQ-7 Diodes Incorporated Y 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 220mA 300mW 表面贴装 SOT-363

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