分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 共2036条产品


 
工作温度

 
25°C 时 Td(开/关)值

 
IGBT 类型

 
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

 
开关能量

 
安装类型

 
电压 - 集射极击穿(最大值)

 
电流 - 集电极(Ic)(最大值)

 
基本零件编号

 
输入类型

 
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供应商器件封装

 
零件状态

 
测试条件

 
脉冲电流 - 集电极 (Icm)

 
功率 - 最大值

 
反向恢复时间(trr)

 
栅极电荷

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安装类型:x
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电流 - 集电极(Ic)(最大值):x
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输入类型:x
包装:x
封装/外壳:x
供应商器件封装:x
零件状态:x
测试条件:x
脉冲电流 - 集电极 (Icm):x
功率 - 最大值:x
反向恢复时间(trr):x
栅极电荷:x
序号 图片 型号 制造商 环保 描述
1 STGWA15S120DF3 STMicroelectronics Y IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 259W Through Hole TO-247-3
2 IXGH16N60B2D1 IXYS Y IGBT PT 600V 40A 150W Through Hole TO-247AD (IXGH)
3 IXGK120N120A3 IXYS Y IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
4 IRGS4615DTRRPBF Infineon Technologies Y IGBT 600V 23A 99W Surface Mount D2PAK
5 IRGS4615DTRLPBF Infineon Technologies Y IGBT 600V 23A 99W Surface Mount D2PAK
6 IRGS4615DPBF Infineon Technologies Y IGBT 600V 23A 99W Surface Mount D2PAK
7 IRG4BC10SD-S Infineon Technologies IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
8 IRG4BC10SD-SPBF Infineon Technologies Y IGBT 600V 14A 38W Surface Mount D2PAK
9 SGF5N150UFTU ON Semiconductor Y IGBT 1500V 10A 62.5W Through Hole TO-3PF
10 暂无 FGM623S Sanken Y IGBT 600V 30A 60W Through Hole TO-3PF
11 SGH30N60RUFTU ON Semiconductor Y IGBT 600V 48A 235W Through Hole TO-3PN
12 SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor Y IGBT 600V 48A 235W Through Hole TO-3P
13 RGTH00TS65DGC11 Rohm Semiconductor Y IGBT Trench Field Stop 650V 85A 277W Through Hole TO-247N
14 AOT15B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. Y IGBT 600V 30A 167W Through Hole TO-220
15 SKW20N60HSFKSA1 Infineon Technologies Y IGBT NPT 600V 36A 178W Through Hole PG-TO247-3
16 AIKW75N60CTXKSA1 Infineon Technologies Y IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3-41
17 SGL50N60RUFTU ON Semiconductor Y IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-264-3
18 SGL50N60RUFDTU ON Semiconductor Y IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-264-3
19 IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies Y IGBT 650V 74A 255W Through Hole PG-TO220-3
20 SGH40N60UFDTU ON Semiconductor Y IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-3P

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