【WNDR10FET/规格参数】厂家_WNDR10FET中文资料_价格

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型号： WNDR10FET
制造商： Ohmite
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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WNDR10FET产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供WNDR10FET由Ohmite设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供WNDR10FET价格参考以及OhmiteWNDR10FET封装/规格参数等产品信息。你可以下载WNDR10FET参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有WNDR10FET详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ohmite品牌的WNDR10FET是一款通孔式绕线电阻器（Wirewound Resistor），额定功率10W，阻值精度±1%，具有低电感、高稳定性及优异的脉冲耐受能力。其典型应用场景包括：

- 工业电源与开关电源（SMPS）：用作缓冲电阻、放电电阻或预充电电阻，在整流滤波后限制浪涌电流，保护电容和整流桥；  
- 电机控制与驱动电路：在变频器、伺服驱动中作为制动电阻（配合IGBT/MOSFET使用），吸收电机回馈能量，防止母线电压过冲；  
- 测试与测量设备：因温度系数低（±20 ppm/°C）、长期稳定性好，适用于精密负载模拟、电子负载模块及校准电路；  
- 医疗与轨道交通电源系统：满足高可靠性要求，用于DC-DC转换器输出端稳压/限流，或EMI滤波网络中的阻尼电阻；  
- 高能脉冲应用：可承受短时大电流冲击（如10×额定功率、50ms脉冲），适用于激光驱动、电容充放电电路等。

该器件采用陶瓷骨架、耐高温釉面涂层，工作温度范围–55°C 至 +250°C，引脚为轴向镀锡铜线，适合波峰焊或手工焊接。需注意：绕线结构导致高频下存在寄生电感，不适用于MHz级射频电路；安装时应留足散热空间，建议PCB开窗或加装散热片以保障10W持续功耗下的温升安全。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	电阻器
描述	RES 0.1 OHM 3W 1% AXIAL线绕电阻器 - 透孔 3W 0.1 ohm 1%
产品分类	通孔电阻器
品牌	Ohmite
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	线绕电阻器,线绕电阻器 - 透孔,Ohmite WNDR10FETWN
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	WNDR10FET
产品	Power Resistors Wirewound Molded
产品种类	线绕电阻器 - 透孔
供应商器件封装	轴向
其它名称	WNDR10FETTR
功率(W)	3W
功率额定值	3 W
包装	带卷（TR）
商标	Ohmite
外壳直径	5.5 mm
外壳长度	13.54 mm
大小/尺寸	0.217" 直径 x 0.533" 长（5.50mm x 13.54mm）
容差	1 %
封装	Reel
封装/外壳	轴向
工作温度范围	- 55 C to + 150 C
工厂包装数量	500
引线直径	0.8 mm
成分	绕线
标准包装	500
温度系数	90 PPM / C
特性	非电感
电阻	0.1 Ohms
电阻(Ω)	0.1
端子数	2
端接类型	Axial
系列	WH/WN
高度	-