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Datasheet下载- 型号： VVZF70-16IO7
- 制造商： IXYS
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VVZF70-16IO7产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VVZF70-16IO7由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VVZF70-16IO7价格参考。IXYSVVZF70-16IO7封装/规格：晶闸管 - SCR - 模块， SCR Module 1.6kV Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes Chassis Mount FO-T-A。您可以下载VVZF70-16IO7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VVZF70-16IO7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的VVZF70-16IO7型号属于晶闸管（SCR，Silicon Controlled Rectifier）模块类别，其应用场景主要集中在需要高效功率控制和切换的工业领域。以下是该型号可能的应用场景： 1. 电机控制 - VVZF70-16IO7可用于工业电机的启动、调速和制动控制。通过调节SCR的导通角，可以实现对电机电压和电流的精确控制，适用于交流感应电机或同步电机。 - 应用实例：工业风扇、泵类设备、输送带系统等。 2. 电力调节与稳压 - 该模块可应用于电力调节器中，用于稳定输出电压或调整负载功率。例如，在加热系统中，通过相位控制调节电热元件的功率。 - 应用实例：工业加热设备、温度控制系统。 3. 照明控制 - 在高功率照明系统中，如舞台灯光、街道照明或工厂照明，VVZF70-16IO7可用于调光控制，实现节能和亮度调节。 - 应用实例：智能照明系统、LED驱动电源。 4. 焊接设备 - SCR模块广泛用于焊接机中，提供稳定的电流输出以确保焊接质量。VVZF70-16IO7能够承受高电流冲击，适合电阻焊或电弧焊设备。 - 应用实例：工业电阻焊机、逆变焊机。 5. 不间断电源（UPS）和逆变器 - 在UPS和逆变器中，该模块可用于直流到交流的转换过程，确保输出波形的稳定性。 - 应用实例：备用电源系统、应急照明电源。 6. 再生能源系统 - 在太阳能或风能发电系统中，VVZF70-16IO7可用于功率因数校正或能量存储系统的充放电控制。 - 应用实例：光伏逆变器、储能管理系统。 7. 家电及消费电子 - 部分高端家用电器（如空调、洗衣机）可能使用此类SCR模块进行功率调节和节能优化。 - 应用实例：变频空调、电磁炉。 性能特点： - 额定电压：1600V，适用于高压环境。 - 额定电流：70A，支持大电流负载。 - 封装形式：模块化设计，便于集成和散热管理。 - 可靠性高：IXYS品牌以其高质量和稳定性著称，适合恶劣工况。 综上所述，IXYS的VVZF70-16IO7晶闸管模块凭借其高电压、大电流特性，适用于多种工业自动化、电力电子和能源管理领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | RECT BRIDGE 3PH 1600V FO-T-ASCR模块 70 Amps 1600V |
| 产品分类 | SCR - 模块分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 100 mA |
| GateTriggerVoltage-Vgt | 1.5 V |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 | |
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,SCR模块,IXYS VVZF70-16io7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VVZF70-16IO7 |
| SCR数，二极管 | 3 SCRs，3 个二极管 |
| 不重复通态电流 | 600 A |
| 产品种类 | SCR模块 |
| 保持电流Ih最大值 | 200 mA |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 5 mA |
| 其它名称 | VVZF7016IO7 |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | FO-T-A |
| 封装/箱体 | FO-T-A |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极触发电压-Vgt | 1.5 V |
| 栅极触发电流-Igt | 100 mA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-断态 | 1600V |
| 电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 550A，600A |
| 电流-保持(Ih)（最大值） | 200mA |
| 电流-栅极触发(Igt)（最大值） | 100mA |
| 电流-通态(It(AV))（最大值） | 70A |
| 电流-通态(It(RMS))（最大值） | - |
| 电流额定值 | 70 A |
| 电路类型 | SCR Module |
| 系列 | VVZF70 |
| 结构 | 电桥，3 相 - SCR/二极管 |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | 1600 V |
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VVZF 70-16io7 Three Phase Rectifier Bridge I = 70 A dAV V = 1600 V RRM 1 3 2 V V Type A RSM RRM V V DSM DRM C V V D E 1700 1600 VVZF 70-16io7 B Features Symbol Conditions Maximum Ratings • Package with copper base plate I T = 85°C, module 70 A dAV C • Isolation voltage 3000 V~ I module 70 A dAVM • Planar passivated chips I , I per leg 36 A FRMS TRMS • Low forward voltage drop I , I T = 45°C; t = 10 ms (50 Hz) 550 A FSM TSM VJ • ¼" fast-on power terminals V = 0 t = 8.3 ms (60 Hz) 600 A R T = T ; t = 10 ms (50 Hz) 500 A Applications VJ VJM V = 0 t = 8.3 ms (60 Hz) 550 A R • Supplies for DC power equipment I2t T = 45°C; t = 10 ms (50 Hz) 1520 A2s • Input rectifiers for PWM inverter VJ V = 0 t = 8.3 ms (60 Hz) 1520 A2s • Battery DC power supplies R • Field supply for DC motors T = T ; t = 10 ms (50 Hz) 1250 A2s VJ VJM V = 0 t = 8.3 ms (60 Hz) 1250 A2s R Advantages (di/dt) T = 125°C repetitive; I = 50 A 150 A/µs cr VJ T • Easy to mount with two screw f = 50 Hz; tp = 200 µs • Space and weight savings VD = 2/3 VDRM non repetitive; 500 A/µs • Improved temperature & IG = 0.3 A IT = ½IdAV power cycling capability diG /dt = 0.3 A/µs • Small and light weight (dv/dt) T = T ; V = 2/ V 1000 V/µs cr VJ VJM D 3 DRM R = , method 1 (linear voltage rise) GK h V 10 V RGM P T = T t = 30 µs 10 W GM VJ VJM p I = I t = 500 µs 5 W T TAVM p t = 10 µs 1 W p P 0.5 W GAVM T -40...+125 °C VJ T 125 °C VJM T -40...+125 °C stg V 50/60 Hz, RMS t = 1 min 2500 V~ ISOL I < 1 mA t = 1 s 3000 V~ ISOL M Mounting torque (M5) 5 ±15% Nm d (10-32 UNF) 44 ±15% lb.in. Weight Typ. 100 g Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated. IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. 20100708b © IXYS All rights reserved 1 - 2
VVZF 70-16io7 Symbol Conditions Characteristic Values I ; I V = V ; V = V T = T < 5 mA D R R RRM D DRM VJ VJM V I = 80 A T = 25°C < 1.64 V T T VJ V For power-loss calculations only 0.85 V T0 r 11 mW t V V = 6 V T = 25°C < 1.5 V GT D VJ T = -40°C < 1.6 V VJ I V = 6 V T = 25°C < 100 mA GT D VJ T = -40°C < 200 mA VJ V V = 2/V T = T < 0.2 V GD D 3 DRM VJ VJM I < 5 mA GD I t = 10 µs T = 25°C < 450 mA L p VJ I = 0.45 A; di /dt = 0.45 A/µs G G I V = 6 V; R = T = 25°C < 200 mA H D GK h VJ t V = ½V T = 25°C < 2 µs gd D DRM VJ I = 0.45 A; di /dt = 0.45 A/µs G G t I = 20 A; t = 200 µs T = 25°C < 250 µs q T p VJ V = 100 V; di/dt = -10 A/µs R dv/dt = -15 V/µs; V = 2/ V D 3 DRM R per thyristor / diode; DC 0.9 K/W thJC per module 0.15 K/W R per thyristor / diode; DC 1.1 K/W thJH per module 0.157 K/W d Creeping distance on surface 16.1 mm S d Creepage distance in air 7.5 mm A a Max. allowable acceleration 50 m/s2 Dimensions in mm (1 mm = 0.0394“) IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions. 20100708b © IXYS All rights reserved 2 - 2
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