ICGOO在线商城 > VLS3010T-4R7MR80
Datasheet下载- 型号： VLS3010T-4R7MR80
- 制造商： TDK
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
VLS3010T-4R7MR80产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VLS3010T-4R7MR80由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供VLS3010T-4R7MR80价格参考以及TDKVLS3010T-4R7MR80封装/规格参数等产品信息。 你可以下载VLS3010T-4R7MR80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有VLS3010T-4R7MR80详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| DC电阻(DCR) | 204 毫欧最大 |
| 描述 | INDUCTOR POWER 4.7UH .80A SMD固定电感器 4.7uH |
| 产品分类 | |
| 品牌 | TDK |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 固定电感器,TDK VLS3010T-4R7MR80VLS |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VLS3010T-4R7MR80 |
| 不同频率时的Q值 | - |
| 产品 | Power Inductors |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 固定电感器 |
| 供应商器件封装 | - |
| 其它名称 | 445-4256-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | TDK |
| 外壳宽度 | 3 mm |
| 外壳长度 | 3 mm |
| 外壳高度 | 1 mm |
| 大小/尺寸 | 0.118" 长 x 0.118" 宽（3.00mm x 3.00mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | 20 % |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 非标准 |
| 封装/箱体 | 3010 metric |
| 屏蔽 | Shielded |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 105 C |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 最大直流电流 | 800 mA |
| 最大直流电阻 | 113 mOhms |
| 材料-磁芯 | - |
| 标准包装 | 2,000 |
| 测试频率 | 1 MHz |
| 电感 | 4.7 uH |
| 电流-饱和值 | 800mA |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | Wound Ferrite Inductor |
| 系列 | VLS |
| 芯体材料 | Ferrite |
| 频率-测试 | 1MHz |
| 频率-自谐振 | - |
| 额定电流 | 800mA |
| 高度-安装（最大值） | 0.039"（1.00mm） |
,(0E,2E,5E)%20Series%20Top.jpg)
,(0E,2E,5E)%20Series%20Footprint.jpg)
%20Series%20Side.jpg)
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
PDF Datasheet 数据手册内容提取
New products!! VLS3010 TYPE SMD Power Inductor Component Image & Dimensions Features : a) Miniature Size : Mount Area : 3.0mm x 3.0mm Pb Free!! Low Profile : 1.0mm Max. Height 1.0mm Max b) Generic use for portable DC/DC Converter. c) High Magnetic Shield Construction should actualize High Resolution for EMC Protection. 3.0+/-0.1mm d) Automatic Mounting in Tape&Reel Package. 3.0+/-0.1mm Applications : DVC , DSC , PDA, LCD Display Cellular Phone, HDD etc. unit: mm Electrical Specification Inductance [µH] Test DC Resistance Rated DC Current [A] TDK Identification Tol. Freq. [Ohm] Idc1 Idc2 (%) [MHz] (Max.) (Typ.) (Max.) (Typ.) (Typ.) VLS3010T- 1R0N1R9 1.0+/ - 30% 1.0 0.072 0.060 1.7 1.9 2.1 VLS3010T- 1R5N1R6 1.5+/ - 30% 1.0 0.085 0.071 1.4 1.5 1.9 VLS3010T- 2R2M1R3 2.2+/ - 20% 1.0 0.116 0.097 1.2 1.4 1.7 VLS3010T- 3R3M1R1 3.3+/ - 20% 1.0 0.156 0.13 1.1 1.3 1.5 VLS3010T- 4R7MR80 4.7+/ - 20% 1.0 0.204 0.17 0.8 0.9 1.3 VLS3010T- 6R8MR75 6.8+/ - 20% 1.0 0.312 0.26 0.75 0.85 1.0 VLS3010T- 100MR65 10+/ - 20% 1.0 0.468 0.39 0.65 0.70 0.8 VLS3010T- 150MR55 15+/ - 20% 1.0 0.612 0.51 0.55 0.65 0.7 VLS3010T- 220MR46 22+/ - 20% 1.0 0.90 0.75 0.46 0.52 0.6 Note) Idc 1 : Depend on the Inductance Saturation. (-30% Reduction from Nominal L Value) Idc 2 : Depend on the Self Temperature Rise (40deg.C Typ.) Operating Temperature Range : -40deg. C ~ +105deg.C (including Self Temp. Rise) as of Nov.2007
INDUCTANCE VS. DC SUPERPOSITION CHARACTERISTICS ◆Inductance vs D.C. Current Comparison VLS3010T-1R0N1R9 VLS3010T-6R8MR75 1.2 8.0 1.0 6.0 0.8 L[uH]00..46 L[uH]4.0 0.2 2.0 0.0 0.0 0 500 1000 1500 2000 0 200 400 600 800 1000 Idc[mA] Idc[mA] VLS3010T-1R5N1R6 VLS3010T-100MR65 12 1.5 10 8 L[uH]01..50 L[uH] 46 2 0.0 0 0 500 1000 1500 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Idc[mA] Idc[mA] VLS3010T-2R2M1R3 VLS3010T-150MR55 2.5 2.0 15 H]1.5 H]10 L[u1.0 L[u 5 0.5 0.0 0 0 500 1000 1500 0 100 200 300 400 500 600 700 Idc[mA] Idc[mA] VLS3010T-3R3M1R1 VLS3010T-220MR46 4.0 25 3.0 20 L[uH]2.0 L[uH]1105 1.0 5 0.0 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0 100 200 300 400 500 600 Idc[mA] Idc[mA] VLS3010T-4R7MR80 5.0 4.0 uH]3.0 TAEST CIRCUITC=20,000μF L[2.0 2 L=0.1H 1 Sample 1.0 1. LCR METER 4285A f=1MHz 0.0 2. DC CONSTANT CURRENT SOURCE 0 200 400 600 800 1000 1200 Idc[mA]