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VDZT2R5.1B产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VDZT2R5.1B由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VDZT2R5.1B价格参考¥0.50-¥0.52。ROHM SemiconductorVDZT2R5.1B封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.1V 100mW ±2% Surface Mount VMD2。您可以下载VDZT2R5.1B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VDZT2R5.1B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的型号VDZT2R5.1B属于二极管 - 齐纳 - 单类别,其主要应用场景如下: 1. 电压稳压 VDZT2R5.1B是一款齐纳二极管,额定齐纳电压为2.5V(±5%精度)。它常用于电路中的电压稳压功能,能够将输出电压稳定在特定值。例如,在电源电路中,它可以用来提供稳定的参考电压,确保后级电路的正常工作。 2. 过电压保护 该型号的齐纳二极管可用于保护敏感电子元件免受瞬时过电压的影响。例如,在信号输入端或电源输入端,当电压超过设定值时,齐纳二极管会导通并钳位电压,从而保护后续电路。 3. 参考电压源 在模拟电路和混合信号电路中,VDZT2R5.1B可用作参考电压源。例如,在运算放大器、比较器或ADC/DAC电路中,提供一个精确的基准电压以确保电路的准确性。 4. 信号电平调整 在信号处理电路中,齐纳二极管可以用来限制信号的幅值。例如,在音频电路或传感器信号调理电路中,VDZT2R5.1B可以将信号电平控制在安全范围内,避免失真或损坏。 5. ESD保护 由于其快速响应特性,VDZT2R5.1B也可用于静电放电(ESD)保护。在接口电路中,它可以迅速泄放静电能量,防止对核心器件造成损害。 6. 小型化应用 VDZT2R5.1B采用紧凑型封装(如SOD-882),适合需要高密度集成的小型化设备,例如可穿戴设备、物联网模块或便携式电子产品。 总结 VDZT2R5.1B适用于低电压稳压、过压保护、参考电压生成、信号电平调整及ESD保护等场景。其小尺寸和高可靠性使其成为消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域中的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 5.1V 100MW VMD2稳压二极管 100MW 5.1V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ROHM Semiconductor VDZT2R5.1B- |
数据手册 | |
产品型号 | VDZT2R5.1B |
不同If时的电压-正向(Vf) | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 1.5V |
产品 | Zener Diode |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | VMD2 |
其它名称 | VDZT2R5.1BDKR |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±2% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 2-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | VMD-2 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 8000 |
最大反向漏泄电流 | 2 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
电压容差 | 2 % |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
齐纳电压 | 5.2 V |
齐纳电流 | 5 mA |