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Datasheet下载- 型号： TPCC8006-H(TE12LQM
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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TPCC8006-H(TE12LQM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPCC8006-H(TE12LQM由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供TPCC8006-H(TE12LQM价格参考以及Toshiba America Electronic Components, Inc.TPCC8006-H(TE12LQM封装/规格参数等产品信息。 你可以下载TPCC8006-H(TE12LQM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有TPCC8006-H(TE12LQM详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | TPCC8006-H(TE12LQM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 200µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-TSON |
| 其它名称 | TPCC8006-H(TE12LQMTR |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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