ICGOO在线商城 > TK40E06N1,S1X
Datasheet下载- 型号： TK40E06N1,S1X
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
TK40E06N1,S1X产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK40E06N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供TK40E06N1,S1X价格参考以及Toshiba America Electronic Components, Inc.TK40E06N1,S1X封装/规格参数等产品信息。 你可以下载TK40E06N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有TK40E06N1,S1X详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 40A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK40E06N1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK40E06N1,S1X |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.4 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | TK40E06N1S1X |
| 功率-最大值 | 67W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Ta） |
(SN).jpg)
